Englisch
japanisch
Portugiesisch
Korea
Mexiko
Niederländisch
STMicroelectronics
STU10N60M2
278-STU10N60M2
PDF-Datenblatt
600V N-CH MOSFET, 7.5A, 560mR Rds On, IPAK
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
.png)
Technische Daten
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
7.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
560mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
13.2ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Höhe
6.2mm
FAQ
Gibt es verwandte oder alternative Teile für STU10N60M2?
Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.
In welchem Gehäuse oder Package ist STU10N60M2 erhältlich?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STU10N60M2?
Was ist STU10N60M2?
Welche Montageart hat STU10N60M2?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN
Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.
SCHNELLE ANFRAGE
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
