STMicroelectronics_STB13N60M2
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STMicroelectronics
STB13N60M2

278-STB13N60M2
PDF-Datenblatt
600V N-CH MOSFET, 11A, 380mR, D2PAK, Surface Mount
16 Weeks

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Original

Technische Daten

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
380mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
380mR
Fall Time
9.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
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FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für STB13N60M2 angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für STB13N60M2 ist 650V.
In welchem Gehäuse oder Package ist STB13N60M2 erhältlich?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für STB13N60M2?
Ist STB13N60M2 aktuell auf Lager?
Wie lang ist die Standardlieferzeit für STB13N60M2?
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