Leistungstreibermodule dienen zur physischen Einkapselung von Leistungskomponenten, normalerweise IGBTs und MOSFETs in einer Halbbrücke oder in ein-, zwei- oder dreiphasigen Konfigurationen. Leistungshalbleiter oder -chips werden auf ein Substrat gelötet oder gesintert, das die Leistungshalbleiter trägt und bei Bedarf elektrischen und thermischen Kontakt sowie elektrische Isolierung bietet. Leistungsmodule bieten eine höhere Leistungsdichte und sind in vielen Fällen zuverlässiger und leichter zu kühlen.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
|---|---|---|---|---|---|
LMG3526R030RQSTPower Driver Modules | Texas Instruments | 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT | 149 | - | |
LMG3526R030RQSRPower Driver Modules | Texas Instruments | 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT | 1980 | - |