Feldeffekttransistoren (FET) sind elektronische Geräte, die ein elektrisches Feld nutzen, um den Stromfluss zu steuern. Das Anlegen einer Spannung an den Gate-Anschluss verändert die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen. FETs werden auch als Unipolartransistoren bezeichnet, da sie im Einzelträgerbetrieb arbeiten. Das heißt, FETs nutzen bei ihrem Betrieb Elektronen oder Löcher als Ladungsträger, aber nicht beides. Feldeffekttransistoren weisen bei niedrigen Frequenzen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz auf. Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren oder MOSFETs sind eine Art FET.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
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TSM60NE145CIT C0GFETs, MOSFETs | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | 1998 | - | |
TQM048NH10LCR RLGFETs, MOSFETs | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 100A, Single N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 4.8V | Auf Lager | - | |
TSM60NE200CIT C0GFETs, MOSFETs | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs | 1986 | - | |
TQM100NB04CV RGGFETs, MOSFETs | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 47A, Single N-Channel Automotive MOSFETs | 10000 | - |