Einzelne IGBTs

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Einzelne IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen, die hohe Ströme verarbeiten können und über schnelle Schaltfunktionen verfügen. Sie werden durch Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, gepulster Kollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gate-Ladung charakterisiert.

Teil # Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preisgestaltung Menge
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