Speicher ist ein Halbleiterbauelement, das als Datenspeichergerät auf einem integrierten Schaltkreis verwendet wird. Diese Bauelemente sind in mehreren Formaten erhältlich: CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM und SRAM, entweder nichtflüchtig oder flüchtig. Die Speichergrößen dieser Bauelemente reichen von 64 B bis 6 Tb, wobei die Schnittstellen I2C, MMC, Parallel, eMMC, Seriell, Single Wire, SPI, UFS, Xccela Bus und 1-Wire sind.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
|---|---|---|---|---|---|
K6T4008C1C-GB70Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | Auf Lager | - | |
K6T1008V2C-GF70Memory ICs Products | SAMSUNG | Auf Lager | - | ||
K4S2816320-LC75Memory ICs Products | SAMSUNG | 8019 | - | ||
K4D263238E-GC36Memory ICs Products | SAMSUNG | SMT 50PCS/DRY Pack | 9009 | - | |
K6R1008V1D-KI10Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 | 6014 | - | |
K7R163684B-FC20Memory ICs Products | SAMSUNG | QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | 569 | - | |
K6T0808C1D-TB70Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | Auf Lager | - | |
K4S561632E-UC75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 | Auf Lager | - | |
K6R1004V1D-JC10Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | Auf Lager | - | |
K7R323682C-FC25Memory ICs Products | SAMSUNG | Auf Lager | - | ||
K4D263238E-GC33Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | 10501 | - | |
K9F1208U0C-PCB0Memory ICs Products | SAMSUNG | Flash, 64MX8, 30ns, PDSO48, TSOP1-48 | 1506 | - | |
K4S280832E-TC75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | 32004 | - | |
K6T2008U2A-YF70Memory ICs Products | SAMSUNG | 256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | Auf Lager | - | |
K4D28163HD-TC50Memory ICs Products | SAMSUNG | 2020 | - | ||
K4S641632N-LC60Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54 | 15009 | - | |
K4S641632H-TL75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | 8521 | - | |
K4S641632H-UC60Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54 | 1514 | - | |
K9F5608U0C-PIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8 10us 48-Pin TSOP-I | Auf Lager | - | |
K9K8G08U0E-SIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | Flash, 1GX8, PDSO48, TSOP1-48 | 1820 | - | |
K6X8016T3B-UF55Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | Auf Lager | - | |
K9F5608U0D-FIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | 32M x 8 Bit NAND Flash Memory | Auf Lager | - | |
K9F2G08U0B-PIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I | Auf Lager | - | |
KMQN1000SM-B316Memory ICs Products | SAMSUNG | eMCP eMMC + DRam | 130 | - | |
K7A803609B-HC20Memory ICs Products | SAMSUNG | SRAM 256Kx36-2 TQFP | Auf Lager | - |