Einzelne IGBTs

Einzelne IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen, die hohe Ströme verarbeiten können und über schnelle Schaltfunktionen verfügen. Sie werden durch Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, gepulster Kollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gate-Ladung charakterisiert.