Junction-Gate-Feldeffekttransistoren (JFET) sind Bauelemente, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände verwendet werden. Eine Potentialdifferenz der richtigen Polarität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss, was bedeutet, dass weniger Strom im Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Vorspannungsstrom, da eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
|---|---|---|---|---|---|
BSR62JFETs | NXP Semiconductors | PNP Darlington transistor / Trans Darlington PNP 80V 1A 830mW 3-Pin SPT | 20010 | - | |
BFT46JFETs | NXP Semiconductors | N-channel silicon FET | 2787 | - | |
PMBFJ175JFETs | NXP Semiconductors | JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 | 40020 | - | |
PMBFJ109JFETs | NXP Semiconductors | N-channel junction FETs | Auf Lager | - | |
PMBFJ308JFETs | NXP Semiconductors | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | Auf Lager | - | |
PMBFJ112JFETs | NXP Semiconductors | N-channel junction FETs | 7019 | - | |
PMBFJ310JFETs | NXP Semiconductors | N-channel silicon field-effect transistors | 31029 | - |