Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) sind Leistungshalbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen, die hauptsächlich als elektronische Schalter verwendet werden und einen hohen Wirkungsgrad mit schnellem Schalten kombinieren. Als Module sind IGBTs als asymmetrische Brücken, Boost-, Buck- und Brake-Chopper, Vollbrücken-, Dreipunkt- und Dreiphasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über eingebaute NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. IGBT-Module unterscheiden sich durch maximale Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und Konfiguration.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
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MPMD100B120RHIGBT Modules | MagnaChip Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780W 7-Pin Case 7DM-3 | 9 | - |