Feldeffekttransistoren (FET) sind elektronische Geräte, die ein elektrisches Feld nutzen, um den Stromfluss zu steuern. Das Anlegen einer Spannung an den Gate-Anschluss verändert die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen. FETs werden auch als Unipolartransistoren bezeichnet, da sie im Einzelträgerbetrieb arbeiten. Das heißt, FETs nutzen bei ihrem Betrieb Elektronen oder Löcher als Ladungsträger, aber nicht beides. Feldeffekttransistoren weisen bei niedrigen Frequenzen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz auf. Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren oder MOSFETs sind eine Art FET.
| Teil # | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preisgestaltung | Menge |
|---|---|---|---|---|---|
IPA65R065C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | 353 | - | |
BSC079N10NS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | 5105 | - | |
SP000750498FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 | 11765 | - | |
BSS308PEH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | 82368 | - | |
BSP320S H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3 | 5339 | - | |
IPB083N10N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 3540 | - | |
BSC100N06LS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | 48440 | - | |
IPW65R125C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | 240 | - | |
IPI045N10N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 3 | - | |
IMT65R015M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | Auf Lager | - | |
IPP100N10S3-05FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T | 508 | - | |
IPB80P03P4L-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | 3417 | - | |
BSL307SP H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | 4834 | - | |
BSZ0901NSIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | 6016 | - | |
IPP041N12N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | 567 | - | |
IPW60R190E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | 127 | - | |
IPP093N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | Auf Lager | - | |
BSC252N10NSF GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 3352 | - | |
SP000216320FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Auf Lager | - | |
SPP11N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3 | 4374 | - | |
ISG0614N06NM5HATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 205 | - | |
IPB107N20N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 9381 | - | |
BSC060P03NS3E GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3 | 6680 | - | |
IMZA65R033M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 | Auf Lager | - | |
SPB11N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 | 807 | - |