Vishay / Siliconix_SI9433BDY-T1-E3
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Vishay / Siliconix
SI9433BDY-T1-E3

278-SI9433BDY-T1-E3
PDF-Datenblatt
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
11 Weeks

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Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
P-Channel
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Verpackung/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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FAQ

Ist SI9433BDY-T1-E3 aktuell auf Lager?
Ja. Für SI9433BDY-T1-E3 werden derzeit 14693 Stück als lagernd angezeigt.
In welchem Gehäuse oder Package ist SI9433BDY-T1-E3 erhältlich?
Welche Montageart hat SI9433BDY-T1-E3?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt SI9433BDY-T1-E3?
Welche Spannungsspezifikation ist für SI9433BDY-T1-E3 angegeben?
Kurzes Zitat
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