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Vishay / Siliconix_SI8415DB-T1-E1
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Vishay / Siliconix
SI8415DB-T1-E1

Vishay / Siliconix
278-SI8415DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 5.3A 4MICROFOOT

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ISO9001
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Original

Technische Daten

FET-Typ
P-Channel
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Produktstatus
Obsolete
Gerätepaket des Lieferanten
4-Microfoot
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V
Verlustleistung (max.)
1.47W (Ta)
Verpackung/Koffer
4-XFBGA, CSPBGA
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für SI8415DB-T1-E1 angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für SI8415DB-T1-E1 ist 12 V.
Ist SI8415DB-T1-E1 aktuell auf Lager?
In welchem Gehäuse oder Package ist SI8415DB-T1-E1 erhältlich?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für SI8415DB-T1-E1?
Was ist SI8415DB-T1-E1?
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