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Vishay / Siliconix
SI7962DP-T1-E3
289-SI7962DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO8
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Funktion
-
Aufbau
2 N-Channel (Dual)
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
ECCN
EAR99
Befestigungsart
Surface Mount
Produktstatus
Active
FAQ
Welche Spannungsspezifikation ist für SI7962DP-T1-E3 angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für SI7962DP-T1-E3 ist 40V.
In welchem Gehäuse oder Package ist SI7962DP-T1-E3 erhältlich?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für SI7962DP-T1-E3?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt SI7962DP-T1-E3?
Welche Montageart hat SI7962DP-T1-E3?
Kurzes Zitat
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