Vishay / Siliconix_SI6415DQ-T1-GE3
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Vishay / Siliconix
SI6415DQ-T1-GE3

278-SI6415DQ-T1-GE3
PDF-Datenblatt
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
11 Weeks

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Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
P-Channel
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
8-TSSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Verpackung/Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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FAQ

Ist SI6415DQ-T1-GE3 aktuell auf Lager?
Ja. Für SI6415DQ-T1-GE3 werden derzeit 5069 Stück als lagernd angezeigt.
In welchem Gehäuse oder Package ist SI6415DQ-T1-GE3 erhältlich?
Welche Spannungsspezifikation ist für SI6415DQ-T1-GE3 angegeben?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für SI6415DQ-T1-GE3?
Wie lang ist die Standardlieferzeit für SI6415DQ-T1-GE3?
Kurzes Zitat
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