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Vishay / Siliconix
SI5402BDC-T1-E3
278-SI5402BDC-T1-E3
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
FET-Typ
N-Channel
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Produktstatus
Obsolete
Gerätepaket des Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Verpackung/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FAQ
Was ist SI5402BDC-T1-E3?
SI5402BDC-T1-E3 ist ein Single FETs, MOSFETs von Vishay / Siliconix. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
Welche Montageart hat SI5402BDC-T1-E3?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für SI5402BDC-T1-E3?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt SI5402BDC-T1-E3?
Welche Spannungsspezifikation ist für SI5402BDC-T1-E3 angegeben?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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