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Vishay / Siliconix_SI2337DS-T1-E3
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Vishay / Siliconix
SI2337DS-T1-E3

Vishay / Siliconix
278-SI2337DS-T1-E3
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MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
P-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 40 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Verlustleistung (max.)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Verpackung/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für SI2337DS-T1-E3 angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für SI2337DS-T1-E3 ist 80 V.
In welchem Gehäuse oder Package ist SI2337DS-T1-E3 erhältlich?
Was ist SI2337DS-T1-E3?
Ist SI2337DS-T1-E3 aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für SI2337DS-T1-E3?
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