Email: [email protected] |Tel: +65 31252045
flag Deutsch
RFQ
Vishay / Siliconix_SI2312BDS-T1-GE3
original

Vishay / Siliconix
SI2312BDS-T1-GE3

Vishay / Siliconix
278-SI2312BDS-T1-GE3
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
14 Weeks

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
N-Channel
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Verpackung/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Mehr anzeigen

FAQ

Ist SI2312BDS-T1-GE3 aktuell auf Lager?
SI2312BDS-T1-GE3 ist derzeit nur auf Anfrage verfügbar. Bitte kontaktieren Sie uns für die neuesten Bestandsinformationen.
Wie lang ist die Standardlieferzeit für SI2312BDS-T1-GE3?
In welchem Gehäuse oder Package ist SI2312BDS-T1-GE3 erhältlich?
Was ist SI2312BDS-T1-GE3?
Welche Spannungsspezifikation ist für SI2312BDS-T1-GE3 angegeben?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN

Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.

SCHNELLE ANFRAGE

Verwandte Teile

Kontakt & Standort
Tel: +65 31252045
[email protected]
260B ANG MO KIO STRASSE 21 #18-153 KEBUN BARU GERICHT SINGAPUR
INFORMATION
Über uns Kontaktieren Sie uns Zertifizierung Produktverzeichnis Alle Hersteller
Tools & Anfrage
Anfrage Stückliste Leiterplatte Industrielle BOM-Unterstützung
RICHTLINIEN
Versand & Lieferung Rückerstattung und Rückgabe Allgemeine Geschäftsbedingungen Datenschutzrichtlinie
ISO9001Quality PolicyISO45001ISO14001paypalvisaamexooFedEXDHLUPSTNTOthers
©2026 ERSA Electronics Corporation.