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Transphorm_TPH3207WS
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Transphorm
TPH3207WS

Transphorm
278-TPH3207WS
PDF-Datenblatt
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

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Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Funktion
-
FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2197 pF @ 400 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
ECCN
EAR99
Befestigungsart
Through Hole
Produktstatus
Obsolete
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FAQ

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