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STMicroelectronics
STU11NM60ND
278-STU11NM60ND
PDF-Datenblatt
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3
Warum wir?
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B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Eingangskapazität
850pF
FAQ
Welche Spannungsspezifikation ist für STU11NM60ND angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für STU11NM60ND ist 600V.
Ist STU11NM60ND aktuell auf Lager?
Welche Montageart hat STU11NM60ND?
In welchem Gehäuse oder Package ist STU11NM60ND erhältlich?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STU11NM60ND?
Kurzes Zitat
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