STMicroelectronics_STP11N65M5
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STMicroelectronics
STP11N65M5

278-STP11N65M5
PDF-Datenblatt
650V 9A N-Channel MOSFET TO-220 480mR RdsOn
14 Weeks

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Original

Technische Daten

Package/Case
TO-220
Continuous Drain Current (ID)
9A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
480mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Höhe
15.75mm
Eingangskapazität
644pF
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist STP11N65M5 erhältlich?
STP11N65M5 ist derzeit im Gehäuse / Package TO-220 erhältlich.
Welche Montageart hat STP11N65M5?
Welche Spannungsspezifikation ist für STP11N65M5 angegeben?
Gibt es für STP11N65M5 staffelabhängige Preise?
Ist STP11N65M5 aktuell auf Lager?
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