STMicroelectronics_STP10NM60ND
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STMicroelectronics
STP10NM60ND

278-STP10NM60ND
600V 8A N-CH MOSFET TO-220 600mR FDmesh II

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Original

Technische Daten

Package/Case
TO-220
Continuous Drain Current (ID)
8A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
600mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
470mR
Fall Time
9.8ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
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FAQ

Welche Montageart hat STP10NM60ND?
Laut den aktuellen Produktspezifikationen verwendet STP10NM60ND die Montageart Through Hole.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für STP10NM60ND?
Welche Spannungsspezifikation ist für STP10NM60ND angegeben?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STP10NM60ND?
Was ist STP10NM60ND?
Kurzes Zitat
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