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STMicroelectronics
STI4N62K3
278-STI4N62K3
PDF-Datenblatt
620V N-CH MOSFET, 3.8A, 2 Ohm, TO-262
13 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
3.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
620V
Drain to Source Resistance
2R
Drain-Source-Spannung (Vdss)
620V
Fall Time
19ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Höhe
10.75mm
FAQ
In welchem Gehäuse oder Package ist STI4N62K3 erhältlich?
STI4N62K3 ist derzeit im Gehäuse / Package TO-262-3 erhältlich.
Was ist STI4N62K3?
Welche Spannungsspezifikation ist für STI4N62K3 angegeben?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STI4N62K3?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für STI4N62K3?
Kurzes Zitat
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