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STMicroelectronics
STI11NM60ND
278-STI11NM60ND
PDF-Datenblatt
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Eingangskapazität
850pF
FAQ
Was ist STI11NM60ND?
STI11NM60ND ist ein Single FETs, MOSFETs von STMicroelectronics. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
In welchem Gehäuse oder Package ist STI11NM60ND erhältlich?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für STI11NM60ND?
Welche Spannungsspezifikation ist für STI11NM60ND angegeben?
Ist STI11NM60ND aktuell auf Lager?
Kurzes Zitat
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