Englisch
japanisch
Portugiesisch
Korea
Mexiko
Niederländisch
STMicroelectronics
STGW60H65DF
279-STGW60H65DF
60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
.png)
Technische Daten
Package/Case
TO-247
Collector Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
350V
Collector-emitter Voltage-Max
1.9V
Eingabetyp
STANDARD
Lead Free
Lead Free
Max Collector Current
120A
FAQ
In welchem Gehäuse oder Package ist STGW60H65DF erhältlich?
STGW60H65DF ist derzeit im Gehäuse / Package TO-247 erhältlich.
Welche Spannungsspezifikation ist für STGW60H65DF angegeben?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STGW60H65DF?
Welche Montageart hat STGW60H65DF?
Was ist STGW60H65DF?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN
Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.
SCHNELLE ANFRAGE
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
