STMicroelectronics_STGW30N120KD
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STMicroelectronics
STGW30N120KD

279-STGW30N120KD
PDF-Datenblatt
30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

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Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
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Original

Technische Daten

Package/Case
TO-247-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
1.2kV
Collector-emitter Voltage-Max
3.85V
Eingabetyp
STANDARD
Lead Free
Lead Free
Max Collector Current
60A
Max Operating Temperature
125°C
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FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STGW30N120KD?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von STGW30N120KD beträgt 125°C.
Welche Spannungsspezifikation ist für STGW30N120KD angegeben?
Was ist STGW30N120KD?
Ist STGW30N120KD aktuell auf Lager?
Welche Montageart hat STGW30N120KD?
Kurzes Zitat
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