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STMicroelectronics_STD7NM50N-1
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STMicroelectronics
STD7NM50N-1

STMicroelectronics
278-STD7NM50N-1
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MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

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Original

Technische Daten

Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
5A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
780mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Eingangskapazität
400pF
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