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STMicroelectronics
STD2HNK60Z-1
278-STD2HNK60Z-1
PDF-Datenblatt
600V N-Channel Power MOSFET, 2A, 4.8 Ohm, IPAK
13 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
2A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
4.8R
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
4.8R
Fall Time
50ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
Welche Spannungsspezifikation ist für STD2HNK60Z-1 angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für STD2HNK60Z-1 ist 600V.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STD2HNK60Z-1?
Ist STD2HNK60Z-1 aktuell auf Lager?
Wie lang ist die Standardlieferzeit für STD2HNK60Z-1?
Gibt es für STD2HNK60Z-1 staffelabhängige Preise?
Verfügbarkeit
(Auf Lager :
199 )
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.37143 | $1.37 |
| 10+ | $1.12628 | $11.26 |
| 30+ | $0.99257 | $29.78 |
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Einzelpreis $1.37143
Zwischensumme $1.37
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