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STMicroelectronics
STD11NM60N-1
278-STD11NM60N-1
PDF-Datenblatt
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
12ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Eingangskapazität
850pF
FAQ
Welche Montageart hat STD11NM60N-1?
Laut den aktuellen Produktspezifikationen verwendet STD11NM60N-1 die Montageart Through Hole.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für STD11NM60N-1?
Ist STD11NM60N-1 aktuell auf Lager?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STD11NM60N-1?
Welche Spannungsspezifikation ist für STD11NM60N-1 angegeben?
Kurzes Zitat
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