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STMicroelectronics
STB4NK60Z-1
278-STB4NK60Z-1
N-channel 600 V, 1.7 Ohm typ., 4 A SuperMESH Power MOSFET in I2PAK package
13 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
4A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
2R
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
16.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Eingangskapazität
510pF
FAQ
Was ist STB4NK60Z-1?
STB4NK60Z-1 ist ein Single FETs, MOSFETs von STMicroelectronics. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
Welche Montageart hat STB4NK60Z-1?
Ist STB4NK60Z-1 aktuell auf Lager?
Welche Spannungsspezifikation ist für STB4NK60Z-1 angegeben?
In welchem Gehäuse oder Package ist STB4NK60Z-1 erhältlich?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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