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STMicroelectronics
STB30NM60N
278-STB30NM60N
PDF-Datenblatt
25A, 600V, 0.13ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
25A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
130mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
130mR
Fall Time
70ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
Was ist STB30NM60N?
STB30NM60N ist ein Single FETs, MOSFETs von STMicroelectronics. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STB30NM60N?
Ist STB30NM60N aktuell auf Lager?
In welchem Gehäuse oder Package ist STB30NM60N erhältlich?
Welche Montageart hat STB30NM60N?
Kurzes Zitat
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