Englisch
japanisch
Portugiesisch
Korea
Mexiko
Niederländisch
STMicroelectronics
STB19NM65N
278-STB19NM65N
PDF-Datenblatt
MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
.png)
Technische Daten
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
15.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
270mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Fall Time
26ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Eingangskapazität
1.9nF
FAQ
Was ist STB19NM65N?
STB19NM65N ist ein Single FETs, MOSFETs von STMicroelectronics. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STB19NM65N?
In welchem Gehäuse oder Package ist STB19NM65N erhältlich?
Welche Montageart hat STB19NM65N?
Welche Spannungsspezifikation ist für STB19NM65N angegeben?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN
Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.
SCHNELLE ANFRAGE
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
