STMicroelectronics_STB18NM80
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STMicroelectronics
STB18NM80

278-STB18NM80
PDF-Datenblatt
800V N-CH MOSFET, 17A, 295mR Rds On, D2PAK
13 Weeks

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ISO9001
Quality Policy
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Original

Technische Daten

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
17A
Drain to Source Breakdown Voltage
800V
Drain to Source Resistance
295mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Drain-source On Resistance-Max
295mR
Fall Time
50ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
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FAQ

Gibt es verwandte oder alternative Teile für STB18NM80?
Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STB18NM80?
In welchem Gehäuse oder Package ist STB18NM80 erhältlich?
Was ist STB18NM80?
Ist STB18NM80 aktuell auf Lager?
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