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STMicroelectronics
STB11NM60-1
278-STB11NM60-1
PDF-Datenblatt
600V N-CH MOSFET, 11A, 450mR, I2PAK Power Transistor
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
11A
Current Rating
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Fall Time
11ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STB11NM60-1?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von STB11NM60-1 beträgt 150°C.
In welchem Gehäuse oder Package ist STB11NM60-1 erhältlich?
Ist STB11NM60-1 aktuell auf Lager?
Welche Spannungsspezifikation ist für STB11NM60-1 angegeben?
Was ist STB11NM60-1?
Kurzes Zitat
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