STMicroelectronics_STB11N65M5
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STMicroelectronics
STB11N65M5

278-STB11N65M5
PDF-Datenblatt
650V 9A N-CH MOSFET D2PAK, 480mR Rds(on)
14 Weeks

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
9A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
480mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Höhe
4.6mm
Eingangskapazität
644pF
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FAQ

In welchem Gehäuse oder Package ist STB11N65M5 erhältlich?
STB11N65M5 ist derzeit im Gehäuse / Package D2PAK erhältlich.
Welche Montageart hat STB11N65M5?
Wie lang ist die Standardlieferzeit für STB11N65M5?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt STB11N65M5?
Ist STB11N65M5 aktuell auf Lager?
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