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STMicroelectronics
PD84008-E
285-PD84008-E
PDF-Datenblatt
RF Power LDMOS transistor
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
Continuous Drain Current (ID)
7A
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Frequenz
870MHz
Gewinnen
16.2dB
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Max Frequency
1GHz
Max Operating Temperature
165°C
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt PD84008-E?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von PD84008-E beträgt 165°C.
Ist PD84008-E aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für PD84008-E?
Was ist PD84008-E?
In welchem Gehäuse oder Package ist PD84008-E erhältlich?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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