STMicroelectronics_B11NM60N
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STMicroelectronics
B11NM60N

285-B11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
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Original

Technische Daten

Status
Obsolete(EOL)
Max Gate Charge
31nC @ 10V
Continuous Drain Current at 25°C
10A (Tc)
Dimension
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Max Input Capacitance
850pF @ 50V
Gate-Source Threshold Voltage
4V @ 250μA
Mounting
Through Hole
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
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FAQ

Welche Montageart hat B11NM60N?
Laut den aktuellen Produktspezifikationen verwendet B11NM60N die Montageart Through Hole.
Welche Spannungsspezifikation ist für B11NM60N angegeben?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für B11NM60N?
Was ist B11NM60N?
In welchem Gehäuse oder Package ist B11NM60N erhältlich?
Kurzes Zitat
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