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RFQ
SemiQ_GP2T040A120U
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SemiQ
GP2T040A120U

SemiQ
278-GP2T040A120U
PDF-Datenblatt
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3192 pF @ 1000 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 20 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Verlustleistung (max.)
322W (Tc)
Verpackung/Koffer
TO-247-3
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FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für GP2T040A120U angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für GP2T040A120U ist 1200 V.
In welchem Gehäuse oder Package ist GP2T040A120U erhältlich?
Welche Montageart hat GP2T040A120U?
Ist GP2T040A120U aktuell auf Lager?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt GP2T040A120U?
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