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SemiQ
GCMS080B120S1-E1
278-GCMS080B120S1-E1
PDF-Datenblatt
SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
30 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1374 pF @ 1000 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-227
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Verlustleistung (max.)
142W (Tc)
Verpackung/Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
FAQ
In welchem Gehäuse oder Package ist GCMS080B120S1-E1 erhältlich?
GCMS080B120S1-E1 ist derzeit im Gehäuse / Package SOT-227-4, miniBLOC erhältlich.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für GCMS080B120S1-E1?
Ist GCMS080B120S1-E1 aktuell auf Lager?
Wie lang ist die Standardlieferzeit für GCMS080B120S1-E1?
Welche Spannungsspezifikation ist für GCMS080B120S1-E1 angegeben?
Kurzes Zitat
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