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ROHM Semiconductor
RSD200N10TL
278-RSD200N10TL
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48.5 nC @ 10 V
Produktstatus
Obsolete
Gerätepaket des Lieferanten
CPT3
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Verpackung/Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
FAQ
Welche Spannungsspezifikation ist für RSD200N10TL angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für RSD200N10TL ist 100 V.
Ist RSD200N10TL aktuell auf Lager?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für RSD200N10TL?
In welchem Gehäuse oder Package ist RSD200N10TL erhältlich?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt RSD200N10TL?
Kurzes Zitat
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SCHNELLE ANFRAGE
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