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ROHM Semiconductor
RF4E100AJTCR
278-RF4E100AJTCR
PDF-Datenblatt
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
21 Weeks
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle Qualität
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Technische Daten
FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1460 pF @ 15 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Produktstatus
Active
Gerätepaket des Lieferanten
HUML2020L8
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Verpackung/Koffer
8-PowerUDFN
FAQ
In welchem Gehäuse oder Package ist RF4E100AJTCR erhältlich?
RF4E100AJTCR ist derzeit im Gehäuse / Package 8-PowerUDFN erhältlich.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für RF4E100AJTCR?
Welche Spannungsspezifikation ist für RF4E100AJTCR angegeben?
Welche Montageart hat RF4E100AJTCR?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt RF4E100AJTCR?
Kurzes Zitat
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