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Rectron USA_RM12N650T2
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Rectron USA
RM12N650T2

Rectron USA
278-RM12N650T2
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MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
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Original

Technische Daten

Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Funktion
-
FET-Typ
N-Channel
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 50 V
Befestigungsart
Through Hole
Produktstatus
Active
RDS ein (max.) bei ID, VGS
360mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
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FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für RM12N650T2 angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für RM12N650T2 ist 650 V.
Welche Montageart hat RM12N650T2?
In welchem Gehäuse oder Package ist RM12N650T2 erhältlich?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt RM12N650T2?
Ist RM12N650T2 aktuell auf Lager?
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