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onsemi_SSR1N60BTM
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onsemi
SSR1N60BTM

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278-SSR1N60BTM
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MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

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Technische Daten

Package/Case
TO-252-3
Continuous Drain Current (ID)
900mA
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
12R
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Fall Time
35ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Eingangskapazität
215pF
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FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für SSR1N60BTM angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für SSR1N60BTM ist 600V.
Gibt es verwandte oder alternative Teile für SSR1N60BTM?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt SSR1N60BTM?
In welchem Gehäuse oder Package ist SSR1N60BTM erhältlich?
Welche Montageart hat SSR1N60BTM?
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