onsemi_NTMD4884NFR2G
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NTMD4884NFR2G

278-NTMD4884NFR2G
PDF-Datenblatt
Power MOSFET and Schottky Diode, 30 V, 5.7 A, Single N-Channel, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
3.3A
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Drain to Source Resistance
48mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Fall Time
1.4ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Eingangskapazität
360pF
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FAQ

Ist NTMD4884NFR2G aktuell auf Lager?
Ja. Für NTMD4884NFR2G werden derzeit 5765 Stück als lagernd angezeigt.
Welche Spannungsspezifikation ist für NTMD4884NFR2G angegeben?
In welchem Gehäuse oder Package ist NTMD4884NFR2G erhältlich?
Welche Montageart hat NTMD4884NFR2G?
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt NTMD4884NFR2G?
Kurzes Zitat
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