Email: [email protected] |Tel: +65 31252045
flag Deutsch
RFQ
onsemi_NTD4856N-1G
original

onsemi
NTD4856N-1G

onsemi
278-NTD4856N-1G
PDF-Datenblatt
Power MOSFET 25V 89A 4.7 mOhm Single N-Channel DPAK, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische Daten

Package/Case
DPAK
Continuous Drain Current (ID)
89A
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Drain to Source Resistance
5.3mR
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Element Configuration
Single
Fall Time
7.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Mehr anzeigen

FAQ

Welche Spannungsspezifikation ist für NTD4856N-1G angegeben?
Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für NTD4856N-1G ist 25V.
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt NTD4856N-1G?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für NTD4856N-1G?
Ist NTD4856N-1G aktuell auf Lager?
Was ist NTD4856N-1G?
Kurzes Zitat
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN

Nicht online erhältlich? Sie möchten den günstigeren Großhandelspreis? Bitte senden Sie eine RFQ, um den besten Preis zu erhalten. Wir werden umgehend antworten.

SCHNELLE ANFRAGE

Verwandte Teile

Kontakt & Standort
Tel: +65 31252045
[email protected]
260B ANG MO KIO STRASSE 21 #18-153 KEBUN BARU GERICHT SINGAPUR
INFORMATION
Über uns Kontaktieren Sie uns Zertifizierung Produktverzeichnis Alle Hersteller
Tools & Anfrage
Anfrage Stückliste Leiterplatte Industrielle BOM-Unterstützung
RICHTLINIEN
Versand & Lieferung Rückerstattung und Rückgabe Allgemeine Geschäftsbedingungen Datenschutzrichtlinie
ISO9001Quality PolicyISO45001ISO14001paypalvisaamexooFedEXDHLUPSTNTOthers
©2026 ERSA Electronics Corporation.