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RFQ

Produkt Diskrete HalbleiterTransistorenBipolar (BJT)Bipolare Transistor-Arrays, vorgespanntNSBA114EDXV6T1G

onsemi

NSBA114EDXV6T1G

Name: NSBA114EDXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: 293-NSBA114EDXV6T1G

Hersteller:

onsemi

ERSA Teilenummer:

293-NSBA114EDXV6T1G

Datenblatt:

PDF-Datenblatt

Beschreibung:

Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT), SOT-563, 6 LEAD, 4000-REEL

Standard-Lieferzeit:

6 Weeks

RoHS-Status:

Aktie:

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität

Technische Daten

Package/Case

SOT-563-6

Collector Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage (VCEO)

50V

Collector-emitter Voltage-Max

250mV

Current Rating

-100mA

hFE Min

Lead Free

Max Breakdown Voltage

50V

FAQ

Was ist NSBA114EDXV6T1G?

NSBA114EDXV6T1G ist ein Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased von onsemi. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.

Wie lang ist die Standardlieferzeit für NSBA114EDXV6T1G?

Die aktuell angezeigte Standardlieferzeit für NSBA114EDXV6T1G beträgt 6 Weeks.

Gibt es verwandte oder alternative Teile für NSBA114EDXV6T1G?

Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt NSBA114EDXV6T1G?

Der angegebene Betriebstemperaturbereich von NSBA114EDXV6T1G beträgt 150°C.

Welche Spannungsspezifikation ist für NSBA114EDXV6T1G angegeben?

Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für NSBA114EDXV6T1G ist 50V.

Kurzes Zitat

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