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RFQ

Produkt Diskrete HalbleiterTransistorenBipolar (BJT)Bipolare Transistor-Arrays, vorgespanntMUN5312DW1T1G

onsemi

MUN5312DW1T1G

Name: MUN5312DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 293-MUN5312DW1T1G

Hersteller:

onsemi

ERSA Teilenummer:

293-MUN5312DW1T1G

Datenblatt:

PDF-Datenblatt

Beschreibung:

50V NPN BRT Transistor, 100mA, SOT-363-6, 2-Ch

Standard-Lieferzeit:

6 Weeks

RoHS-Status:

Aktie:

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität

Technische Daten

Package/Case

SOT-363-6

Collector Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Saturation Voltage

250mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)

50V

Collector-emitter Voltage-Max

250mV

Continuous Collector Current

100mA

Current Rating

100mA

Höhe

0.9mm

FAQ

Ist MUN5312DW1T1G aktuell auf Lager?

Ja. Für MUN5312DW1T1G werden derzeit 14381 Stück als lagernd angezeigt.

Wie lang ist die Standardlieferzeit für MUN5312DW1T1G?

Die aktuell angezeigte Standardlieferzeit für MUN5312DW1T1G beträgt 6 Weeks.

Gibt es verwandte oder alternative Teile für MUN5312DW1T1G?

Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.

Was ist MUN5312DW1T1G?

MUN5312DW1T1G ist ein Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased von onsemi. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.

Welche Spannungsspezifikation ist für MUN5312DW1T1G angegeben?

Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für MUN5312DW1T1G ist 50V.

Kurzes Zitat

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