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MSB710-RT1G
276-MSB710-RT1G
PDF-Datenblatt
Dual PNP Bipolar Transistor, SC-59 3 LEAD, 3000-REEL
Warum wir?
Professionelle Plattform
B2B & B2C BeschaffungSchnelle Lieferung
1-2 Tage LieferzeitGroße Vielfalt
Originalhersteller365 Tage Garantie
Verantwortungsvolle QualitätTechnische Daten
Package/Case
TO-236-3
Collector Base Voltage (VCBO)
-50V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector Emitter Saturation Voltage
-600mV
Collector-emitter Voltage-Max
600mV
Current Rating
-500mA
Emitter Base Voltage (VEBO)
7V
hFE Min
120
FAQ
Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt MSB710-RT1G?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von MSB710-RT1G beträgt 150°C.
In welchem Gehäuse oder Package ist MSB710-RT1G erhältlich?
Was ist MSB710-RT1G?
Welche Spannungsspezifikation ist für MSB710-RT1G angegeben?
Welche Montageart hat MSB710-RT1G?



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