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RFQ

Produkt Diskrete HalbleiterTransistorenBipolar (BJT)Einzelne bipolare TransistorenMMBT6517LT3G

onsemi

MMBT6517LT3G

Name: MMBT6517LT3G
Brand: onsemi
SKU: 276-MMBT6517LT3G

Hersteller:

onsemi

ERSA Teilenummer:

276-MMBT6517LT3G

Datenblatt:

PDF-Datenblatt

Beschreibung:

High Voltage NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL

RoHS-Status:

Aktie:

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität

Technische Daten

Package/Case

SOT-23-3

Collector Base Voltage (VCBO)

350V

Collector Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector Emitter Saturation Voltage

Collector-emitter Voltage-Max

Current Rating

500mA

Emitter Base Voltage (VEBO)

Bandbreitenprodukt gewinnen

200MHz

FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt MMBT6517LT3G?

Der angegebene Betriebstemperaturbereich von MMBT6517LT3G beträgt 150°C.

In welchem Gehäuse oder Package ist MMBT6517LT3G erhältlich?

MMBT6517LT3G ist derzeit im Gehäuse / Package SOT-23-3 erhältlich.

Was ist MMBT6517LT3G?

MMBT6517LT3G ist ein Single Bipolar Transistors von onsemi. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.

Gibt es verwandte oder alternative Teile für MMBT6517LT3G?

Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.

Welche Spannungsspezifikation ist für MMBT6517LT3G angegeben?

Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für MMBT6517LT3G ist 350V.

Kurzes Zitat

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