onsemi_MJD32T4G
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MJD32T4G

276-MJD32T4G
PDF-Datenblatt
PNP BJT Transistor, 40V, 3A, DPAK, 3MHz
14 Weeks

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Quality Policy
ISO45001
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Original

Technische Daten

Package/Case
DPAK
Collector Base Voltage (VCBO)
40V
Collector Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
40V
Collector-emitter Voltage-Max
1.2V
Current Rating
-3A
Emitter Base Voltage (VEBO)
5V
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FAQ

Welchen Betriebstemperaturbereich unterstützt MJD32T4G?
Der angegebene Betriebstemperaturbereich von MJD32T4G beträgt 150°C.
Welche Spannungsspezifikation ist für MJD32T4G angegeben?
Ist MJD32T4G aktuell auf Lager?
Was ist MJD32T4G?
Gibt es verwandte oder alternative Teile für MJD32T4G?
Kurzes Zitat
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