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Produkt Diskrete HalbleiterTransistorenBipolar (BJT)MJD31CT4GN

onsemi

MJD31CT4GN

Name: MJD31CT4GN
Brand: onsemi
SKU: 2087-MJD31CT4GN

Hersteller:

onsemi

ERSA Teilenummer:

2087-MJD31CT4GN

Datenblatt:

Beschreibung:

Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

RoHS-Status:

Aktie:

Warum wir?

Professionelle Plattform

B2B & B2C Beschaffung

Schnelle Lieferung

1-2 Tage Lieferzeit

Große Vielfalt

Originalhersteller

365 Tage Garantie

Verantwortungsvolle Qualität

Technische Daten

Montageart

SMD/SMT

Aufbau

Single

ECCN

EAR99

Transistor Polarity

NPN

Continuous Collector Current

3 A

RoHS

RoHS Compliant

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

FAQ

Ist MJD31CT4GN aktuell auf Lager?

MJD31CT4GN ist derzeit nur auf Anfrage verfügbar. Bitte kontaktieren Sie uns für die neuesten Bestandsinformationen.

Gibt es verwandte oder alternative Teile für MJD31CT4GN?

Ja. Auf dieser Seite können verwandte oder alternative Teile angezeigt werden, wenn passende Produktdaten verfügbar sind.

Was ist MJD31CT4GN?

MJD31CT4GN ist ein Bipolar (BJT) von onsemi. Diese Produktseite zeigt die wichtigsten Spezifikationen, Preisinformationen, Verfügbarkeit und Anfrageoptionen.

Welche Spannungsspezifikation ist für MJD31CT4GN angegeben?

Die aktuell angegebene spannungsbezogene Spezifikation für MJD31CT4GN ist 5 V.

In welchem Gehäuse oder Package ist MJD31CT4GN erhältlich?

MJD31CT4GN ist derzeit im Gehäuse / Package Reel erhältlich.

Kurzes Zitat

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